文件名称：金属辅助湿法化学刻蚀黑硅机理的探讨* (2013年)
文件大小：540KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-19 11:00:54
自然科学 论文
为了理解金属辅助湿法化学刻蚀的机理，单晶硅片分别在氢氟酸/过氧化氢/氯金酸(HF/H2O2/HAuCl4)体系、氢氟酸/硝酸/硝酸银(HF/HNO3/AgNO3)体系、氢氟酸/过氧化氢/硝酸铜(HF/H2O2/Cu(NO3)2)体系中被刻蚀，经过三种体系刻蚀的单晶硅样品的减重量与减薄量之比值分别约为1.622、0.960、0.560.利用电动模型分析认为：差异性刻蚀的发生主要取决于电子的得失和电荷的传输两个方面。