通过金属辅助化学蚀刻和离子注入形成的掺杂硫的黑硅

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文件名称：通过金属辅助化学蚀刻和离子注入形成的掺杂硫的黑硅
文件大小：128KB
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更新时间：2021-03-18 18:08:38
研究论文 我们通过金属辅助化学蚀刻（MCE）和离子注入Craft.io制造了掺杂硫的黑硅。通过扫描电子显微镜（SEM）分析了硅纳米线（SiNW）阵列的形貌和黑硅中硫的浓度。与未掺杂的SiNW阵列和扁平硅相比，硫掺杂的黑硅在整个0.3-2.5μm波长范围内均显示出更高的吸收率。还显示了不同蚀刻时间和退火温度下黑硅的吸收光谱的变化。退火后，在2-2.5μm波长范围内吸收显着降低。新的结果清楚地表明，硫注入可以在硅衬底中产生低于带隙的吸收。