Cu2S阻性存储薄膜的制备及开关特性研究 (2009年)

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文件名称：Cu2S阻性存储薄膜的制备及开关特性研究 (2009年)
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更新时间：2021-05-11 15:09:13
自然科学 论文 采用脉冲激光沉积（PLD）方法于室温下在Pt/TiO2/SiO2/Si（111）及高导电的Si（111）衬底上制备了Cu2S固体电解质薄膜，后经X-射线衍射、原子力显微技术对薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征。通过400℃退火的Cu2S薄膜在Pt/TiO2/SiO2/Si（111）衬底上取向生长，而在高导电性Si（111）衬底上则无取向生长。最好用聚焦离子束刻蚀技术及PLD方法制备了Cu/Cu2S/Pt及Cu/Cu2S/Si（111）记忆单元，这些记忆单元都显示了较好的电阻开关特性，但是在不同衬底上制备的