Ga2n(n=1~4)团簇自旋极化机理的密度泛函理论研究 (2010年)

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文件名称：Ga2n(n=1~4)团簇自旋极化机理的密度泛函理论研究 (2010年)
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更新时间：2021-05-16 11:53:08
自然科学 论文 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下对Ga2n(n=1~4)团簇进行了几何结构优化和结合能计算,并对其电子结构及成键特性进行了分析.结果表明,Ga2,Ga4团簇的基态都是自旋极化态,Ga4团簇的能量局域极小的八面体结构也具有自旋极化;这些团簇的最外层分子轨道的空间分布是对称的,最外层分子轨道之间的能量相差很小,最外层分子轨道的近简并引起了自旋极化;对称性较高的团簇容易形成近简并的最外层分子轨道.