密度泛函方法研究NiSin(n=1~13)团簇 (2008年)

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文件名称：密度泛函方法研究NiSin(n=1~13)团簇 (2008年)
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更新时间：2021-05-07 17:59:52
自然科学 论文 基于第一性原理,利用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)系统研究了NiSin(n=1~13)团簇,在充分考虑自旋多重度的基础上讨论了这些团簇的生长行为,电子性质及其磁性.结果表明:NiSin+1的基态结构是在NiSin的基态结构上带帽一个Si原子而得到;随着团簇尺寸的增大,Ni原子逐渐从吸附在Sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内;掺杂Ni原子提高了硅团簇的稳定性;NiSi10团簇的稳定性在所有团簇中是最高的;电子总是从Si向Ni转移,Ni原子所带的电荷数不仅与Ni原子的配位数有关,还与NiSin团簇