文件名称：纳米ZnO阵列场发射性能研究* (2009年)
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更新时间：2024-07-08 17:08:43
自然科学 论文
目的 为了进一步提高ZnO纳米阵列的场发射性能指标。方法 采用掺杂n型杂质元素Al和衬底预处理的方法生长ZnO纳米阵列，对相应样品的场发射性能进行比较分析。结果和结论 采用A1掺杂和衬底镀Au处理均提高了ZnO纳米阵列场发射的性能，降低了阈值场强。其中衬底镀Au并在此衬底上生长的Al掺杂ZnO纳米阵列开启电场小于0.5V/μm、阈值电场为4.5V/μm。