ZnO纳米线在外加电场下的生长及场发射性能 (2007年)

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文件名称：ZnO纳米线在外加电场下的生长及场发射性能 (2007年)
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更新时间：2021-05-30 20:20:02
自然科学 论文 在外加电场条件下，利用化学气相沉积法制备出了长径比为400：1的四角状ZnO纳米线．利用多功能场发射测试仪对ZnO纳米线进行了场发射特性测试，研究了外加电场对ZnO纳米线生长的影响，讨论了ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象产生的原因．结果表明：外加电场大大促进了四角状ZnO纳米线在一维方向上的生长，外加电场下制备的ZnO纳米线在电流密度为0.1mA/cm2的开启场强仅为2.25v/μm，ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象归因于强场下电子输运速度的饱和．