离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究 (1991年) 时间:2021-05-17 21:11:13 【文件属性】: 文件名称:离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究 (1991年) 文件大小:359KB 文件格式:PDF 更新时间:2021-05-17 21:11:13 自然科学 论文 1 离子束蚀刻实验1.1 样品制备取机械抛光的N型单晶硅片(1,1,1)作蚀刻样品,均匀涂上厚度为1μm的OMR-83光刻胶,利用集成电路制版技术,用曝光方法将光刻胶刻出宽度分别为15μm,10μm,5μm,长为2mm的长槽。 立即下载