文件名称：离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究 (1991年)
文件大小：359KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-06 14:57:53
自然科学 论文
1 离子束蚀刻实验1.1 样品制备取机械抛光的N型单晶硅片(1,1,1)作蚀刻样品,均匀涂上厚度为1μm的OMR-83光刻胶,利用集成电路制版技术,用曝光方法将光刻胶刻出宽度分别为15μm,10μm,5μm,长为2mm的长槽。
离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究 (1991年)
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自然科学 论文
1 离子束蚀刻实验1.1 样品制备取机械抛光的N型单晶硅片(1,1,1)作蚀刻样品,均匀涂上厚度为1μm的OMR-83光刻胶,利用集成电路制版技术,用曝光方法将光刻胶刻出宽度分别为15μm,10μm,5μm,长为2mm的长槽。