平面型大光敏元InGaAs线列探测器及其应用

时间:2024-05-19 15:53:21
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文件名称:平面型大光敏元InGaAs线列探测器及其应用

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更新时间:2024-05-19 15:53:21

InGaAs探测器;平面型;盲元 InGaAs detector;planar-type;bad element

采用晶格匹配的平面型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料,设计了一种大光敏元、带有保护环的InGaAs线列探测器。通过I-V测试、扫描电容显微技术(SCM)测试,研究并确定了线列器件的盲元与保护环结构之间的关系。通过设计改进,解决了器件的盲元问题。24×1InGaAs线列短波红外探测在室温20℃、-10mV偏压下,暗电流密度约5nA/cm2。将光敏芯片密封在集成了热电制冷器(TEC)的金属管壳内,组件工作温度5℃,探测器响应光谱在1.0μm~1.67μm范围,平均峰值电流响应率为1.3A/W,平均峰值探测率为3.4×1012 cm·Hz1/2/W,响应的非均匀性为1.5%。探测...


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