文件名称：InGaAs/InP APD探测器光电特性检测 (2008年)
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更新时间：2024-05-28 14:25:14
自然科学 论文
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管（APDs）进行测试。测试结果表明，该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA，在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InP APD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。