文件名称：纳米双栅MOSFETs的量子格林函数模拟 (2006年)
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更新时间：2024-06-14 10:13:17
自然科学 论文
采用一种量子动力学模型研究纳米MOSFET（场效应管）电流特性。该模型基于二维NEGF（非平衡格林函数）方程和Poisson方程自洽全量子数值解。使用该方法研究了纳米双栅MOSFET结构尺寸对电流特性的影响。模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。另外，通过分析器件不同区域的散射自能效应，得出减缓纳米双栅MOSFET电流性能下降的途径。所用模型具有概念清晰，求解稳定等特点。作为多体量子模型，本方法可应用于一维量子线及量子点阵列所构成的纳米器件，并有望在纳米MO