文件名称：静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET 源端热击穿机理 (2006年)
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更新时间：2024-05-27 20:22:31
自然科学 论文
基于静电放电应力下对深亚微米硅化物工艺栅接地NMOSFET的研究，考虑了源/漏寄生串连电阻的影响，建立了源/漏接触区的电流集中模型。由模型分析表明，不同的温度和掺杂条件下，源/漏寄生串连电阻会引起器件源/漏接触前端边缘附近产生不同程度的电流集中，在器件源端产生新的热点，影响了源/漏端的击穿特性，很好地解释了栅接地NMOSFET的源端热击穿机理。