文件名称：动态应力下功率n-LDMOS器件热载流子退化恢复效应 (2013年)
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更新时间：2024-06-18 14:08:07
自然科学 论文
针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究。电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿真分析结果表明,在施加不同的动态应力条件下,功率n-LDMOS器件存在2种主要的热载流子退化机理,即鸟嘴区域的热空穴注入和沟道区域的界面态产生,均有明显的退化恢复效应。对功率n-LDMOS器件施加2个连续3600s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现该器件在应力变换期间确实发生了热空穴的退陷阱效应。然后,对功率n-LDMOS器件施加3个连续3600s的不同应力,观