文件名称：N-LDMOSFET的掺杂分布与热载流子效应 (2012年)
文件大小：573KB
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更新时间：2024-06-11 19:52:15
自然科学 论文
文章从MOSFET热载流子效应角度研究了N-LDMOSFET在不同的区域掺杂浓度条件下器件的最坏热载流子应力条件；在确定的器件工作条件下结合器件仿真结果，分析了在不同掺杂浓度下器件电特性退化的趋势；详细分析了导致器件退化趋势不同的原因，重点讨论了沟道掺杂和漂移区掺杂与器件热载流子效应关系，提出了N-LDNMOS中区域掺杂的优化策略。