文件名称：4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析 (2008年)
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更新时间：2024-06-18 10:34:55
自然科学 论文
在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上，得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值，并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型。通过对肖特基二极管的正向特性在300～500 K的温度范围内的电流一电压曲线模拟，表明温度升高对正向特性的影响比较显著，肖特基二极管适合于高温工作，同时表明热电子发射是其主要运输机理。