文件名称：MoSi2价电子结构分析及结合能计算 (2007年)
文件大小：402KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-14 01:27:56
工程技术 论文
根据固体与分子经验电子理论，通过键距差(BLD)方法，计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明，MoSi2理论结合能为1 677.1kJ/mol，与实验值吻合。由于Si原子偏移，沿(001)方向分布的Si—Si原子键共价电子数最多，nD=0.40204。MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子，使MoSi2具有良好的导电性。MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。