热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响 (1994年)

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文件名称：热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响 (1994年)

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更新时间：2024-06-05 15:38:03

自然科学 论文

利用深能级瞬态谱(DLTS)对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经2h 1000℃温度退火后，观测到在Ec-0.44eV能级中的多稳组态由40％减少到10％左右。这一实验结果为多稳态缺陷不是Ps-Ci结构．而是E中心自身在晶场应力下显示多稳态特性的设想提供了有说服力的证明。