文件名称：低介电多孔薄膜的制备及形成机制研究 (2006年)
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更新时间：2024-05-18 21:47:27
自然科学 论文
利用硅烷偶联剂KH-570 （γ-甲基丙烯酰氧基甲氧基硅烷）水解缩合生成的多面低聚倍半硅氧烷（POSS）溶胶为模板剂，经热解制备低介电多孔薄膜材料。使用FTIR对材料制备过程及形成机制进行动态研究，通过29 SiNMR、椭偏仪、氮气吸脱附曲线和TEM等对材料的介电性质、孔洞大小和分布情况进行表征。制备的介电多孔薄膜材料孔洞分布均匀、孔径约1nm，比表面积为384.1m2/g，介电常数为2.5的低。