文件名称：二元钒合金上金属氧化物薄膜的电子特性
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更新时间：2024-07-19 14:21:43
学术 论文
二元钒合金上金属氧化物薄膜的电子特性 二元钒合金上金属氧化物薄膜的电子特性 Torsten Bachmann, Winfried Vonau* Kurt-Schwabe-Institut für Messberg eV, Fabrikstraße 69, Z-047720半导体； 薄膜； 合金 金属钛和二元钒钛上的钝化膜是在 5 M 硫酸中在 298 K 下以 900 秒的恒定时间电化学制备的。 极化电位相对于饱和氯化银电极调整为 1.75 V。 证明了用光电化学和莫特-肖特基型电容测量来研究电子特性的可能性。 对电子特性的研究结果表明，氧化层为 n 型半导体，带隙在 2.6 到 3.3 eV 之间，平带电位约为 300 到 400 mV（相对于 SCE）。 由于带隙值取决于合金中钒的比例，因此必须假设晶体结构发生了变化。 这也意味着电子从价带到导带的跃迁的改进，即半导体性能随着钒的量而降低，而半导体的电导率和掺杂水平增加。 带隙值的降低改善了电子从价带到导带的跃迁。 由于电流，传质增加并且腐蚀增加。 这些结果与 [1] 中的电化学研究一致，也符合在系统 n 型半导体/氧化还原电解质中