GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究 (2002年)

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文件名称：GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究 (2002年)

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更新时间：2024-06-03 22:41:10

自然科学 论文

用MBE生长设备制备了 GaAs/Si/AlAs异质结,通过 CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到 Si夹层的空间分布随 GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应。