文件名称：DC反应磁控溅射制备VO2薄膜及XPS分析 (2005年)
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更新时间：2024-05-29 22:26:23
自然科学 论文
文章通过改变玻璃基温度和靶基间距，采用m（O2）/m（Ar）为1∶12.5，溅射功率为190W，工作真空度为2.2Pa，用DC磁控溅射法在玻璃基上沉积VO2薄膜，并经真空退火处理，制备的试样通过XPS测试分析薄膜表面的元素组成及成分。测试分析结果表明，基片温度在室温或超过350℃，易于生成VO2薄膜，真空退火可以显著改善制备薄膜的氧缺陷，提高V与O的化学计量比。