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文件名称：SiGeSi HBT的工艺技术研究
文件大小：370KB
文件格式：PDF
更新时间：2016-12-26 11:15:56
HBT 工艺技术
介绍了多晶硅发射极双台面SiGe／Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD
在n型Si衬底j二外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区
台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行
研究，探索出关键工艺的控制方法，并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe／Si
异质结双极晶体管进行了，一y特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小，欧姆接触良
好，直流电流放大倍数口随，。变化不大，截止频率最高达到11．2 GHz。