一种X波段RF MEMS开关的设计与制作研究 (2005年)

时间:2021-05-15 07:26:34
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文件名称:一种X波段RF MEMS开关的设计与制作研究 (2005年)
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更新时间:2021-05-15 07:26:34
工程技术 论文 设计并制作了一种X波段的电容式RFMEMS开关。该开关在共面波导上的悬空金属膜桥的支撑梁呈螺旋结构,其等效电感值高达134pH,有效降低了"关"态的谐振频率。结合开关的等效电路模型,使用Agilent ADS软件以及理论公式计算对该开关进行了设计和优化。与传统桥膜电容式开关相比,所介绍的开关"关"态隔离性能得到了很大提高。利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品。X波段MEMS开关的在片测试结果表明:驱动电压为9V,"开"态的插入损耗约0.69dB@ 11.6GHz;"关"态的隔离度约27.7dB

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