文件名称：光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响* (2008年)
文件大小：367KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-07-08 22:55:38
自然科学 论文
考虑导带弯曲和有限高势垒，利用变分法和力平衡方程研究了界面光学声子和半空间光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中二维电子气（2DEG）迁移率的影响，数值计算了各支光学声子作用下迁移率随电子面密度及温度的变化。结果表明：总迁移率随电子面密度先上升后下降，随温度升高则一直呈下降趋势。在较低电子面密度时，沟道区的体纵光学声子散射为影响迁移率的主要因素；当电子面密度大于4×10 13/cm2时，界面声子散射成为主要因素。