纤锌矿A1N/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子* (2010年)

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文件名称：纤锌矿A1N/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子* (2010年)
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更新时间：2021-05-19 02:18:49
自然科学 论文 基于介电连续模型和Loudon单轴模型，采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子模。结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AlN/GaN/AlN量子阱的光学声子发生较大变化。对给定波矢，在不同的频率范围内，存在两种界面光学声子模和两种局域光学声子模。声子色散关系和静电势分布表现出较AlN/GaN/AlN单量子阱更为复杂的形态。