文件名称：用于FBAR的C轴取向AlN压电薄膜的研制 (2012年)
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更新时间：2024-06-04 14:15:26
自然科学 论文
用射频(RF)反应磁控溅射法,在硅基片上制备出了具有较低表面粗糙度、C轴择优取向的AlN压电薄膜。讨论了溅射功率对AlN压电薄膜结构和形貌的影响、氮气含量对AlN压电薄膜成分的影响以及低温退火对薄膜表面粗糙度的影响。XRD和SEM结果表明:随溅射功率增大,AlN压电薄膜C轴择优取向增强;当功率为350W时,AlN压电薄膜(002)面摇摆曲线半高宽为4.5°,薄膜表现出明显的柱状结构。EDS成分分析表明:随氮气含量的提高,AlN压电薄膜的元素比接近于化学计量比。低温退火工艺的引入将薄膜表面的均方根粗糙度由4