文件名称：Nb2O5掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏陶瓷电学性质的影响 (2014年)
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更新时间：2024-06-02 13:41:57
自然科学 论文
研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28V/mm增加到530V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。