Ta2O5对掺杂的TiO2压敏陶瓷电性能的影响 (2005年)

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文件名称：Ta2O5对掺杂的TiO2压敏陶瓷电性能的影响 (2005年)
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更新时间：2021-04-24 11:50:09
自然科学 论文 基于典型的陶瓷工艺制备试样，通过对样品的压敏特性、电容频谱特性的测定及势垒高度4b的计算，研究了Ta2O5对掺杂(Ba, Bi, Si, Ta)的TiO2压敏陶瓷的压敏特性及电容特性的影响。结果表明，随着Ta2O5的摩尔分数的增加，样品的压敏电压、非线性系数和视在介电常数呈现一定的变化规律，掺人摩尔分数为0.1%的Ta2O5样品显示出最低的压敏电压和最高的视在介电常数，并从理论上进行了分析。综合考虑材料的各种电性能参数，尤其是压敏电压低压化的需求，Ta2O5掺杂摩尔分数在0.1%左右为宜。