SiO2对(Sr，Bi，Si，Ta)掺杂的 TiO2基压敏陶瓷电性能的影响 (2004年)

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文件名称：SiO2对(Sr，Bi，Si，Ta)掺杂的 TiO2基压敏陶瓷电性能的影响 (2004年)

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更新时间：2024-07-04 09:53:12

自然科学 论文

研究SiO2对(Sr，Bi，Si，Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响，发现按照配方TiO2+0.3％(SrCO3+Bi2O3)+0．075％Ta2O5+0．3％SiO2配制的样品具有最低的压敏电压、最大的相对介电常数及最小的晶粒电阻。