文件名称：Ni在Ni(100)面的薄膜生长的蒙特卡罗模拟 (2010年)
文件大小：183KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-07 09:34:39
自然科学 论文
采用晶格动力学蒙特卡罗（KLMC）方法模拟Ni在Ni（100）面的薄膜生长，对原子的沉积、吸附、扩散、成核、生长等微观过程采用了合理的模型，研究基板温度和沉积速率对薄膜的生长形貌和表面粗糙度的影响。模拟结果表明:沉积在基板上的原子逐步由各个离散型变成紧致型的近四方形的岛，并由二维向三维岛转变，最后连接成膜；基板温度越高，沉积速率越低，生成的薄膜越平整，粗糙度越小；沉积速率一定，表面粗糙度随着基板温度的增加而减小，当基板温度达到一定值时粗糙度降为零。