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文件名称：论文研究-Interfacial Reaction Induced PBTI and NBTI Characteristics in the HfN/HfO2 Gate Stacks with Low Preexisting Trap Density.pdf
文件大小：524KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-04 04:26:25
High-K Gate Dielectric, HfO2, Negative-Bias
低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI特性，萨宁，杨红，本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs，内含原生缺陷密度较低，分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度不稳�