论文研究-Structure induced rectifying in RRAM arrays.pdf 时间:2022-09-16 05:26:04 【文件属性】: 文件名称:论文研究-Structure induced rectifying in RRAM arrays.pdf 文件大小:294KB 文件格式:PDF 更新时间:2022-09-16 05:26:04 Ta oxide 在阻变阵列中实现结构性整流,蒋然,,阻变存储器阵列中中实现了结构对应的的整流作用, 具有高整流比和存储窗口。研究发现该结构具有晶体管和二极管的优点,但机制属�� 立即下载