文件名称：低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究 (2012年)
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更新时间：2024-06-05 03:14:26
自然科学 论文
横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻，完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真．研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性．通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计，实现了导通压降为1．0 V，薄外延层上小元胞尺寸，且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件．