文件名称：沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究 (2011年)
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更新时间：2024-06-03 03:53:39
工程技术 论文
为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻，提出了一种改进的trenchMOSFET结构。借助成熟的器件仿真方法，详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响，通过对常规trenchMOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较，得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数。模拟结果表明，在击穿电压基本相当的情况下，新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%。