【文件属性】：
文件名称：500 V沟槽阳极LIGBT的设计与优化 (2012年)
文件大小：1.37MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-14 10:10:33
工程技术 论文
介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trench anode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT) .沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500 V,栅源电压Vgs =10