功率半导体器件终端SIPOS/PI复合钝化结构研究 (2010年)

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文件名称：功率半导体器件终端SIPOS/PI复合钝化结构研究 (2010年)

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更新时间：2024-06-12 21:43:51

自然科学 论文

本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜。研究结果表明，SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件，可以有效地提高功率器件的可靠性。基于此提出了Smos/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表面特性。