文件名称：SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析 (2009年)
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更新时间：2024-05-28 20:26:32
工程技术 论文
测试半绝缘掺氧多晶硅（SIPOS）层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时，出现异常击穿曲线——“双线击穿”曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀，再进行反向击穿曲线测试，以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能谱分析，结果显示SIPOS层中氧含量过大，从而产生界面效应造成击穿电压回移，并解释了在应用特定测试仪器测试时显示出“双线击穿曲线”的现象，同时提出解决双线击穿曲线现象的方法。