文件名称：类金刚石薄膜的电子结构及光学性质 (2006年)
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更新时间：2024-06-04 00:33:47
工程技术 论文
以直流磁控溅射制备了类金刚石薄膜,采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌,采用俄歇电子能谱(AES)分析薄膜的化学键和电子结构。将参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值求得不同沉积气压条件下制各的薄膜的sp2 键的百分含量和sp2 键与sp3 键比率。采用紫外一可见光透射光谱(UV- Vis)分析了薄膜的光吸收特性和光学带隙。结果表明:沉积气压低于0. 8 Pa时, sp2 键的百分含量随沉积气压的增大而减小;薄膜的光学性质受光学带隙的直接影响。