CMOS技术的性能分析-研究论文

时间:2024-06-09 13:23:30
【文件属性】:

文件名称:CMOS技术的性能分析-研究论文

文件大小:943KB

文件格式:PDF

更新时间:2024-06-09 13:23:30

CMOS MOSFET Noise Margin Threshold

名为“ CMOS技术的性能评估”的项目旨在为学生提供有关如何在VLSI和ULSI技术领域投入时间的指南,并启发他们了解最常用的IC CMOS技术的缩放比例的各种参数。世界上的技术。 该报告还研究了MOSFET的定标范围及其极限。 器件的性能高度依赖于其电路硬件中使用的IC和晶体管的性能。CMOS是互补金属氧化物半导体的缩写,是一种用于设计集成电路的技术。 MOS的MOSFET的互补前缀表示使用NMOS和PMOS的互补半导体。 这两种MOS技术一起工作,形成了各种各样的门和集成电路。这项研究为学生提供了有关学生版本仿真软件在设计新一代硬件时的不可靠性以及如何无法使用此类工具验证高规模技术的功率动态的各种结果。 。


网友评论