CMOS成像器件性能测试方法的研究

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文件名称：CMOS成像器件性能测试方法的研究

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更新时间：2024-03-01 20:52:10

CMOS成像 读出噪声 增益 量子效率 满阱电荷

针对CMOS成像器件结构的特殊性，发展并提出了“像元光子转移技术”法测量增益和读出噪声。同时对CMOS器件的线性度、满阱电荷、暗流、不均匀性和量子效率等性能的测试方法进行了研究。最后基于2 k×2 k CMOS芯片进行了性能测试实验，实验结果验证了该测试方法的可行性和可靠性。