太阳能材料CuInS2的晶体结构、电子和光学特性 (2014年)

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文件名称：太阳能材料CuInS2的晶体结构、电子和光学特性 (2014年)
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更新时间：2021-05-07 18:16:30
自然科学 论文 用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性。我们计算的带隙0.17 eV是直接的，其它实验和理论也表明这种材料有一个直接带隙。在 In 4d和S 3p轨道之间有相当强的杂化，构成了(InS2)4-阴离子。我们计算的反射率光谱，介电函数的实部和虚部，消光系数和折射率和实验结果取得了很好的一致。