文件名称：RFID读写器射频PCB叠层结构图-himaxhx8257资料
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更新时间：2024-07-06 09:06:34
超高频 RFID 射频电路
第四章超高频RFID读写器射频电路设计 L1 0．50z+Plating 1 9．80065 mil P2 lOZ Core 16．1417 mil P3 10Z 1 9．80065 mil L4 0．50z+Plating 4．3．2．4 PCB布局 图4．29 RFID读写器射频PCB叠层结构图 在RF电路设计中，合理的PCB布局和布线对增强信号的传输特性和提高产 品的电磁兼容性都具有极为重要的作用，本节将阐述读写器射频电路PCB设计 中有关布局的注意事项。 (1)首先固定RF路径上的零组件。在读写器射频电路器件布局设计中， 应首先固定位于RF路径上的零组件，并调整其方位，使RF路径的长度减到最 小，并使l玎输入远离RF输出，并尽可能远离高功率电路和低噪音电路。其目 的为尽量降低电路射频信号能量耗散和减小射频信号对电源等信号的电磁干扰。 (2)高功率RF发射电路远离低噪音接收电路。在设计RF电路板时，应尽 可能把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔离开来，如果PCB板上 有很多空间，那么可以很容易地做到这一点。但通常零组件很多时，PCB空间 就会变的很小，因此这是很难达到的。可以把它们放在PCB板的两面，或者让 它们交替工作，而不是同时工作。高功率电路有时还可包括RF缓冲器(buffer) 和压控振荡器(vco)。 在本设计中，我们采用把高功率RF发射电路和低噪声接收电路放在PCB 板两面的方法，如此有效隔离强发射信号对弱接收信号的干扰。 (3)布局对称。由于本设计在接收结构中采用双通道零中频接收体系。故 在器件布局过程中，应注意保持上下通道器件布局对称和布线对称。由此降低上 下通道基带信号相位误差。 (4)电源去耦电路。在RF电路PCB设计中，恰当而有效的芯片电源去耦 (decouple)电路非常重要。去耦组件的实体位置通常也很关键。 去耦电容应尽量靠近IC芯片电源引脚，而去耦电容的接地脚通过过孔与电 源层相连，过孔应该尽可能靠近耦合电容组件焊盘，最好是使用打在焊盘上的盲