文件名称：不同光刻胶作保护层对a-IGZO TFT性能的影响* (2012年)
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更新时间：2024-06-19 00:06:33
工程技术 论文
采用脉冲直流溅射的方式沉积IGZO膜层作为底栅结构TFT的有源层，并在背沟道上涂覆不同类型的光刻胶作为保护层，探讨不同保护层对器件电学特性的影响。经考察发现：采用光刻胶作为保护层时，保护层制作后短期内可维持器件的电学特性基本不变；但涂胶后暴露在空气中一定时间后，器件的电学特性开始衰退，尤其是阈值电压变化较明显，器件工作模式由增强型变为耗尽型，并推断光刻胶中溶剂接触到背沟道中IGZO，其化学反应导致沟道中氧脱附，载流子浓度增加。实验还发现：使用SU-8负性光刻胶作为保护层的器件，其电学特性衰退较小，在空气中