文件名称：不同溅射气体对a-IGZO TFT特性的影响 (2012年)
文件大小：337KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-30 04:17:27
工程技术 论文
摘 要：采用脉冲直流(Pulsed DC)方式和不同的单组份气体(Ar、O2、N2)溅射制作IGZO，研究了缺氧(Ar)、富氧(O2)、氧替代(N2)三种情形下的IGZO-TFT特性。通过AES、XRD、AFM等分析手段，考察了不同气*备的IGZO膜以及相应靶材的成分及结构，发现不同的溅射气体对IGZO膜的成分比例和电学结构具有重要的影响。实验结果表明，Ar-IGZO TFT在退火后具有良好的特性，S值为1 V／dec，迁移率可达8．3 cm2／Vs，开关比Ion／Ioff≥105。