TC264最小系统的大部分我们都在前面介绍了，只剩下了时钟电路和外部器件。下面我们来介绍一下

系统时钟

简介

对于一个单片机来说，时钟单元一定是最重要的一部分，因为它相当于单片机的心脏。TC264单片机的时钟单元叫做时钟及时钟控制单元（CCU），这个单元用来生成系统所需要的多种时钟信号，其相对于单片机内部的拓扑图如下：

【Aurix系列学习】TC264D最小系统搭建—时钟电路和外部器件 — 图1 时钟系统

从图上可以看出，SCU单元输出的时钟信号被送到了单片机内部的各个部分。大家肯定纳闷，不是说系统时钟是由CCU生成的么，那为什么上面的图上没有指出CCU呢。实际上，这里的SCU手册里没有详细解释，不过根据我的猜测应该指的是System Clock Unit系统时钟单元，只是和后面的System Control Units（SCU）单元出现了名称冲突。

在手册里，描述建立一个完整的时钟需要四步，如同把大象放进冰箱一样简单易懂：

Basic clock generation (Clock Source)
Clock speed upscaling
Clock distribution
Individual clock configuration

这四个步骤在图上的表示大概是这样的：

怎么样，是不是感觉简单易懂？有一种三分钟就能学完的赶脚？实际上，它也确实不难理解。整个步骤里，第四部是相对各个时钟的分别配置，实际上重点的就是前三步，它们又分别由CGU和CCU两部分完成，所以它们也是重点，下面我们来详细介绍一下。

CGU（Clock Generation Unit）

CGU单元，顾名思义指时钟产生单元。实际上，我们所配置的外部时钟电路实际上就是广义上来说就是CGU。CGU本质上由两部分：振荡电路和PLL锁相环组成。前者手册里称作Basic clock generation (Clock Source)，后者则称作Clock speed upscaling，其结构如图：

由OSC振荡电路产生基础时钟信号，这个输出的信号被送入后级的PLL中，与此同时，EVR稳压器内部也有一个备用时钟，可以在基础时钟出现问题时进行代替。然后，两个PLL模块会各生成一组PLL信号送入CCU（PLL和PLL2的区别只是最后分频系数K2和K3的区别），再由CCU对其进行选择和分频送给系统各部分。

CCU（Clock Control Unit）

CCU单元如图所示，就是简单的对输入信号针对各个部分分别处理，该分频的分频，该直接输出的就直接输出。这一块在手册里称作Clock distribution。总之，就像个保姆一样把内部各个部分的时钟都合理准备好，让各部分都可以工作在合适的条件下。

那究竟CCU输出的时钟信号是哪些呢？我从手册里将其摘录了一下，可以大概有一个了解：

英文看的不爽，我给整理了一下，虽然我觉得貌似这翻译了和没翻译一样……

不同类型时钟简介
时钟类型	时钟作用
系统总线时钟
	定义了SRI总线的运行性能，从而定义了所有连接的主从之间的数据交换率
	定义了SPB总线的运行性能，从而定义了所有连接的主从机和中断系统之间的数据交换率
CPU控制时钟
	定义CPU0的执行速度
	定义CPU1的执行速度
PMU控制时钟
	定义用于读取操作的PFlash的执行速度
	定义所有其他flash操作的执行速度
外部选择时钟
	为STMs（系统定时器）定义一个独立于系统其余部分的基本频率。这允许STMs（系统定时器）以恒定的频率运行
	为GTM（通用定时器）定义一个独立于系统其余部分的基本频率。这使得GTM（通用定时器）可以在一个恒定的频率下工作
	为“慢速”通信接口定义一个与系统其余部分无关的基本频率。这使得IIC可以在恒定的频率下运行
	为“快速”通信接口定义一个与系统其余部分无关的基本频率。这使得QSPIs和PSI5S可以在恒定的baudrate(频率)上运行
	为MultiCAN定义一个与系统其余部分无关的基本频率。这使得MultiCAN可以在一个恒定baudrate(频率)上运行
	为ASCLINs定义一个与系统其余部分无关的基本频率。这使得ASCLINs可以在一个恒定baudrate(频率)上运行
调试系统时钟
	由于调试基本不会对应用程序系统造成干扰，所以可以使用一个单独的时钟来提供专用的调试资源。这允许在更改其他时钟配置期间进行调试(跟踪生成)。请注意，对于调试，需要比快或等于

好了，对于时钟原理不深入介绍了，一方面对于我们电路原理没有深入分析的必要；另一方面，就算分析了你也不在乎，反正你只想当好一个代码搬运工。不信？那你不信也得信，有本事你自己配寄存器啊=-=。

电路原理图

时钟的电路原理图实际上是很简单，而且单说原理图我觉得上面的那些都没必要，因为基本和原理没太大关系。不过还是要稍微介绍一下。264内部实际上有一个OSC电路，它一般和我们外部的晶体振荡器构成一个皮尔斯振荡回路，从而可以产生一个固定频率的信号。皮尔斯振荡电路作为并联谐振电路，晶振两端需要负载电容对输出频率进行调整。这两个电容在264里既可以从外部接也可以直接使用内部的，当然内部的精度会有些差距。

所以我们按照惯例使用外部振荡器方式，搭建的电路如图所示。当然，如果直接使用内部电容的话，内部电容的参考值需参照数据手册来选择。

其它外设

本来这个不应该和时钟电路一起说的，不过想想也没啥不妥的，就放一起说了。我们的电路里一共留了两个外设芯片，一个是24C64的EEPROM，一个是W25Qxx系列spi flash芯片。

本来想讲一下原理的，但发现好像实在没啥好说的，那就贴个图简单介绍一下吧。

电可擦写可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-only Memory, EEPROM）实现掉电情况下保存数据，设计温湿度变送器采用M24C64芯片．芯片的1，2，3脚确定器件地址．5脚SDA和6脚SCL分别为串行数据引脚和串行同步时钟信号引脚，为IIC总线接口，均连接上拉电阻．7脚WP为写保护引脚，当接入高电平时，芯片数据均处于禁止写入状态，只有在接地时芯片处于正常读写状态．8脚和4脚分别为VCC和GND，分别连接电源正极和电源地。

以W25Q64为例：

W25Q64是华邦公司推出的大容量SPI FLASH产品，其容量为64Mb。该25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件。W25Q64将8M字节的容量分为128个块，每个块大小为64K字节，每个块又分为16个扇区，每个扇区4K个字节。W25Q64的最小擦除单位为一个扇区，也就是每次必须擦除4K个字节。所以，这需要给W25Q64开辟一个至少4K的缓存区，这样必须要求芯片有4K以上的SRAM才能有很好的操作。

W25Q64的擦写周期多达10W次，可将数据保存达20年之久，支持2.7~3.6V的电压，支持标准的SPI，还支持双输出/四输出的SPI，最大SPI时钟可达80Mhz。

CS：片选信号输入

DO(IO1)：数据输出（数据输入输出1）

WP(IO2)：写保护输入（数据输入输出2）

GND：地信号

DI(IO0)：数据输入（数据输入输出0）

CLK：串行时钟输入

HOLD(IO3)：Hold输入（数据输入输出3）

VCC：电源

如有疑问或错误，欢迎和我私信交流指正。
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