Nand/Nor Flash
在嵌入式Linux产品中，通常使用的存储介质为Nand Flash和Nor Flash，而手机、相机等产品通常使用eMMC、SD Card作为存储介质，导致这种差异的原因主要是成本考量。
Nand Flash和Nor Flash具有低成本、高密度存储的优势。但是，它们在读写操作上又有各自的限制。Nand Flash和Nor Flash都没有片内FTL(Flash Transfer Layer)层，换句话说，它们都是raw flash。也就是说，本质上它们都是字符设备。未填写数据的时候，所有位都是高电平；写操作是将高电平变为低电平；只有擦操作才能将低电平变为高电平。所以Nand Flash和Nor Flash的写操作都只能通过先擦除再写入完成，读操作没有限制。
Nand Flash通常用来存储数据，它通过页(Page)和块(Block)两级结构组成，页大小通常为512Byte，类似于磁盘，块大小为8~32KB。读取和写入以页为单位进行，擦操作以块为单位进行。另外，针对每一页有16字节的OOB区，用来存放额外的信息以及ECC纠错码。Nand Flash比较容易出现坏块，其生命周期是擦写100万次。
Nor Flash通常用来存代码，因为它具有XIP(eXecute In Place)的特性，即片上执行，CPU可以把它当RAM使用，同时它也可以保存数据。Nor Flash的页大小通常为32Byte，块大小为128KB，芯片内部包含512Byte的写缓冲区。Nor Flash具有随机读和页读两种方式，擦除操作则是以块为单位，即128KB。Nor Flash在擦除操作之前，必须对每一位写0。Nor Flash的读速度比Nand Flash快，擦除和写入速度则比Nand Flash慢。另外，Nor Flash没有芯片内部的坏块处理，因为它比较少出现坏块，其生命周期是擦写10万次。
MTD(Memory Technology Devices)
MTD子系统在raw flash上提供了一层抽象层，并提供统一的API接口给文件系统层，这样文件系统就不用关心实际的Flash类型是Nand Flash还是Nor Flash。
MTD子系统有以下三种接口：
1) mtd字符设备：/dev/mtd0, /dev/mtd1等，通常包括一组ioctl进行读取、擦除、写入、标记坏块、获取flash信息等操作
2) sysfs 参考Documentation/ABI/testing/sysfs-class-mtd
3) /proc/mtd
MTD子系统给文件系统层提供的API都在include/linux/mtd/mtd.h中描述，其中最重要的是mtd_info结构体。内核3.4版本之前，文件系统层通过mtd_info的成员函数指针调用接口函数；内核3.4版本以后，通过mtd.h文件中声明的mtd_read() mtd_write()等函数实现。
MTD既可以是字符设备，也可以是块设备。
mtdblock驱动是一个过时的工具，用来在mtd设备之上模拟块设备。它不进行坏块处理，所以不能用于Nand Flash。它的工作原理是通过缓存数据块来实现，修改操作在内存中缓存的数据块进行，然后擦除实际物理块，再将缓存的数据写入物理块。这样会出现掉电的时候，数据丢失的现象。另外，它也不进行wear-leveling和bit-flips（位反转）处理。通常将mtdblock理解为FTL层，其实这种认知是错误的，尽量不要使用mtdblock，除非你知道自己在干什么。
YAFFS/JFFS2/SQUASHFS/UBIFS
文件系统