文件名称：相变内存的基于页面的存储框架
文件大小：1.49MB
文件格式：PDF
更新时间：2024-04-26 15:13:31
Phase change memory; Storage management;
相变存储器（PCM）由于其低功耗，非易失性和高存储密度而已成为下一代存储器的有前途的候选者。仅进行了有限数量的写操作，导致生命周期缩短。 因此，找到一种在存储器层次结构中使用PCM的有效方法，以便我们可以利用PCM的优点并延长其生命周期是一个重要的问题。 尽管PCM可以支持字节访问，但是当前它必须在基于页面的HDD或SSD上运行。 因此，一种可行的方法是在内存层次结构中使用PCM作为页面缓冲区。 基于此假设，本文提出了一种有效的基于页面的PCM存储方案。 我们建议同时使用DRAM和PCM作为页面缓冲区，从而形成DBMS的混合页面缓冲区。 特别是，我们开发了三种用于PCM存储管理的新技术。首先，我们提出了一个双桶列表来组织PCM空间。其次，我们使用了一个由基于年龄的策略管理的小型DRAM缓存来缓存对PCM的写操作页面。 第三，我们提出了一种新的.page分配算法，该算法同时考虑了页面迁移和.page交换，以减少对PCM的写入。 我们在基于合成和实际轨迹的基于PCM的模拟存储系统上进行了广泛的实验。 结果表明我们的建议是有效的。