文件名称：PF管脚输出VSS电平-gearman::xs在centos下的编译安装方法
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更新时间：2024-07-15 00:48:01
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Table 8.29 放电低温保护设置寄存器 17H 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位 UTD UTD7 UTD6 UTD5 UTD4 UTD3 UTD2 UTD1 UTD0 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 位编号 位符号 说明 7:0 UTD7~UTD0 放电低温保护阈值 Table 8.30 放电低温保护释放设置寄存器 18H 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位 UTDR UTDR7 UTDR6 UTDR5 UTDR4 UTDR3 UTDR2 UTDR1 UTDR0 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 位编号 位符号 说明 7:0 UTDR7~UTDR0 放电低温保护释放阈值 8.5.5 温度保护阈值计算公式 (1) 充放电高温保护及保护释放阈值设置公式为： 阈值（OTC、OTC、OTD、OTDR） (2) 充放电低温保护及保护释放阈值设置公式为： 阈值（UTC、UTC、UTD、UTDR） （ 其中RT1为温度保护阈值对应的热敏电阻阻值(单位为kΩ)，RREF为内部参考电阻阻值(单位为kΩ)。 内部参考电阻RREF计算公式为： ： Table 8.31 温度内部参考电阻系数寄存器 19H 第7位 第6位 第5位 第4位 第3位 第2位 第1位 第0位 TR - TR6 TR5 TR4 TR3 TR2 TR1 TR0 读 - 读 读 读 读 读 读 读 位编号 位符号 说明 7 - Reserved 6:0 TR6~ TR0 温度内部参考电阻系数 8.6 二次过充电保护 EEPROM寄存器SCONF2中DIS_PF=0，同时满足下述条件时，SH367309进入二次过充电保护状态： (1) 任意电芯电压高于二次过充电保护电压VP2N (2) 状态(1)持续时间超过二次过充电保护延时tP2N SH367309处于二次过充电保护状态时，不允许进入Powerdown状态和SLEEP状态，执行下述动作： (1) 关闭充放电MOSFET (2) 关闭VADC和CADC模块(VADC和CADC相关寄存器值保持之前的数据) (3) PF管脚输出VSS电平 (4) BSTATUS1寄存器中PF状态位置1