半导体设备报告:ASML

时间:2024-04-14 18:45:14
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文件名称:半导体设备报告:ASML

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更新时间:2024-04-14 18:45:14

3C电子 微纳电子 家电

光刻的原理起源于印刷技术中的照相制版,是在一个平面上加工形成微图形。在半导体芯片制作过程中,电路设计图首先通过激光写在光掩模版上,然后光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学效应,再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域,使掩模版上的电路图转移到光刻胶上,最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。 在正性光刻中,正胶的曝光部分结构被破坏,被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。相反地,在负性光刻中,负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解,掩模部分则会被溶剂洗掉, 作为芯片生产流程中最复杂、最关键的步骤,光刻工艺难度最大,耗时最长,芯片在生产过程中一般需要进行


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