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文件名称：含阵列电极的硅基电泳芯片微管道性能的表征和分析* (2007年)
文件大小：4.37MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-10 23:27:09
工程技术 论文
以含阵列电极的SOI硅基芯片与PDMS盖片制成的复合电泳芯片为对象，研究芯片电泳过程中芯片微管道的特殊表面电化学性质．实验采用电流监测法，利用溶液探针测试体系来表征微管道的电绝缘性，由于工艺缺陷或芯片长时间使用引起的绝缘层不同程度的损坏，导致在充液管道中产生的10-500μA的基底电流，这又导致不同程度焦耳热，进而导致电渗流无法稳定和芯片电泳过程无法正常进行．实验提出通过优化硅-PDMS电泳芯片的结构设计来避免和减小基体电流，同时采用以导热硅酯为介质的散热器对硅片试验体系进行散热，进一步减小焦耳热的影响以